Китай заявил о прорыве в производстве памяти: акции Samsung и SK Hynix обвалились
Акции крупнейших мировых производителей микросхем памяти упали после того, как китайская компания ChangXin Memory Technologies (CXMT) заявила о прогрессе в создании технологии, над которой Samsung Electronics и SK Hynix работают уже несколько лет. Инвесторы опасаются, что усиление китайской конкуренции может поставить под угрозу высокие прибыли полупроводниковой отрасли, обеспеченные бумом искусственного интеллекта.
Об этом сообщает Bloomberg со ссылкой на заявление руководства CXMT и участников фондового рынка.
13 октября акции Samsung Electronics на бирже в Сеуле упали на 7,39%, а SK Hynix — на 10,09%. Основной южнокорейский фондовый индекс KOSPI завершил торги снижением на 5,46% — до 6035,35 пункта.
Падение распространилось и на американский рынок. Накануне акции Micron Technology, третьего по величине производителя DRAM в мире, потеряли около 4%.
Одним из поводов для распродажи стала информация о новой технологии CXMT, которая потенциально позволит китайскому производителю сократить технологическое отставание от конкурентов.
Китай заявил о прорыве в производстве оперативной памяти
Президент CXMT Цао Каньюй во время отраслевой конференции в Шанхае сообщил о достижении значительного прогресса в разработке архитектуры DRAM под названием 4F.
Сегодня большинство производителей используют архитектуру 6F, при которой одна ячейка памяти занимает площадь, эквивалентную шести квадратам минимального технологического размера.
Переход к 4F теоретически позволяет уменьшить площадь ячейки примерно на треть и разместить на одном чипе значительно больше памяти. Это может повысить емкость микросхем и снизить себестоимость хранения данных.
Ключевым элементом разработки CXMT стала новая структура транзисторов Vertical Surrounding Gate. Она предусматривает вертикальное расположение элементов и должна уменьшить утечки электрического тока, возникающие при дальнейшей миниатюризации микросхем.
По словам руководителя компании, CXMT планирует до конца 2026 года представить серверные модули памяти DDR5 RDIMM на основе новой архитектуры.
Это особенно важное направление, поскольку серверная память должна обеспечивать стабильную круглосуточную работу и соответствовать жестким требованиям к надежности.
Samsung и SK Hynix могут столкнуться с новым конкурентом
Разработки архитектуры 4F ведут и ведущие южнокорейские производители.
Samsung уже демонстрировала экспериментальные чипы с подобной структурой, однако промышленное внедрение технологии ожидается не ранее 2028 года. SK Hynix также работает над собственной архитектурой с вертикальными транзисторами.
Если CXMT сможет реализовать заявленные планы, китайская компания потенциально опередит конкурентов в выводе новой технологии на рынок.
Однако Bloomberg подчеркивает, что технологический прорыв пока не получил независимого подтверждения. Компания не обнародовала достаточных данных о производительности новых чипов, проценте годной продукции и возможностях их масштабного производства.
Аналитик Morningstar Цзин Цзе Ю отметил, что успешное применение 4F существенно улучшило бы конкурентные позиции CXMT. Однако между демонстрацией технологии и ее коммерческим производством с приемлемым уровнем брака может пройти длительное время.
Новая разработка также не означает, что Китай уже догнал конкурентов во всех сегментах. В частности, CXMT пока отстает в производстве высокоскоростной памяти HBM, которая используется в самых мощных ускорителях искусственного интеллекта Nvidia.
Китай наращивает долю на мировом рынке памяти
CXMT уже стала заметным конкурентом Samsung, SK Hynix и американской Micron в традиционном сегменте DRAM.
По данным аналитической компании TrendForce, во втором квартале 2026 года китайский производитель занял четвертое место на мировом рынке DRAM по выручке. Его доля выросла до 9,5% против 7,6% кварталом ранее.
Для сравнения, доля Samsung составляла 39,4%, SK Hynix — 24,9%, а Micron — 23,3%.
В июле CXMT провела одно из крупнейших первичных размещений акций в истории китайского фондового рынка. Компания привлекла миллиарды долларов для расширения производства и финансирования исследований.
Развитие китайского производителя происходит несмотря на американские экспортные ограничения, которые затрудняют доступ к передовому оборудованию для изготовления полупроводников.
Для Пекина технологический прогресс CXMT имеет стратегическое значение, поскольку уменьшает зависимость от иностранных производителей микросхем, необходимых для компьютеров, серверов и инфраструктуры искусственного интеллекта.
Инвесторы опасаются завершения периода сверхприбылей
Заявление CXMT прозвучало в момент, когда производители памяти получают рекордные прибыли благодаря высокому спросу со стороны дата-центров и компаний, разрабатывающих искусственный интеллект.
Из-за дефицита микросхем цены на DRAM и HBM существенно выросли. Это позволило Samsung, SK Hynix и Micron резко увеличить выручку и прибыльность.
Однако инвесторы все больше сомневаются, что такая ситуация сохранится надолго. Появление дополнительных производственных мощностей в Китае может постепенно увеличить предложение памяти и усилить ценовую конкуренцию.
В то же время нынешнюю распродажу акций нельзя объяснить исключительно заявлением CXMT. На рынок также повлияли общие опасения относительно окупаемости масштабных инвестиций в искусственный интеллект.
В частности, руководитель американской Broadcom Хок Тан сравнил часть нынешних инвестиций в ИИ с игрой в казино, усилив обеспокоенность по поводу завышенных ожиданий инвесторов.
Таким образом, главный риск для мировых производителей памяти заключается не только в потенциальном технологическом прорыве Китая, но и в возможном усилении конкуренции после нескольких лет дефицита и рекордно высоких цен.
В то же время заявление CXMT пока не свидетельствует о быстром удешевлении оперативной памяти для компьютеров или смартфонов. Реальное влияние новой технологии на цены будет зависеть от готовности к массовому производству и объемов поставок.
По материалам: Bloomberg (The Edge), TrendForce, Yonhap